RS3E135BNGZETB 与 AO4468 区别
| 型号 | RS3E135BNGZETB | AO4468 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS3E135BNGZETB-0 | A36-AO4468 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.6mΩ@9.5A,10V | 17mΩ@10.5A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | 3.1W | ||||||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 9 | ||||||||||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | 10.5A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||||
| Trr(ns) | - | 18 | ||||||||||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 22,976 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8448
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22,976 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,152 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.6128
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269 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 对比 |
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