RS6L090BGTB1 与 SIR184LDP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6L090BGTB1 | SIR184LDP-T1-RE3 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS6L090BGTB1-0 | A-SIR184LDP-T1-RE3 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOT669 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 90A | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@90A,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 284 | 20 | ||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥13.4537
|
284 | 当前型号 | ||||||||||
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
￥4.037
|
3,192 | 对比 | ||||||||||
|
NVMFS5C682NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥3.036
|
1,501 | 对比 | ||||||||||
|
SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A SOT1205 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
|
SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||
|
SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 |
暂无价格 | 20 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
