RS6L090BGTB1 与 NVMFS5C682NLAFT1G 区别
| 型号 | RS6L090BGTB1 | NVMFS5C682NLAFT1G | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6L090BGTB1-0 | A36-NVMFS5C682NLAFT1G | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 90A | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@90A,10V | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 284 | 1,501 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥13.4537
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284 | 当前型号 | ||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
￥4.037
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3,192 | 对比 | ||||||||||
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NVMFS5C682NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥3.036
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1,501 | 对比 | ||||||||||
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SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A SOT1205 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||
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SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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