RS6P060BHTB1 与 BSC098N10NS5ATMA1 区别
| 型号 | RS6P060BHTB1 | BSC098N10NS5ATMA1 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6P060BHTB1-1 | A-BSC098N10NS5ATMA1 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 60A TDSON | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 2.5W(Ta),69W(Tc) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.6mΩ@60A,10V | - | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2100pF @ 50V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | TDSON-8 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | - | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3.8V @ 36uA | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 28nC @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 9.8 毫欧 @ 30A,10V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 60A(Tc) | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,469 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.6358
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2,469 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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BSC098N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.805
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6,459 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.9A(Ta),38.7A(Tc) N-Channel 17.4 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
￥7.04
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS3672 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC |
￥4.807
|
1,812 | 对比 |
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