RSD050N06TL 与 AOD444 区别
| 型号 | RSD050N06TL | AOD444 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RSD050N06TL | A-AOD444 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 27 |
| 功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@12A,10V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 85mΩ |
| Qgd(nC) | - | 1.9 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290pF @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| Td(on)(ns) | - | 4.2 |
| 封装/外壳 | CPT3 | TO-252 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | - | 12A |
| Ciss(pF) | - | 450 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 109 毫欧 @ 5A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| Trr(ns) | - | 27 |
| Td(off)(ns) | - | 16 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 20W |
| Qrr(nC) | - | 30 |
| VGS(th) | - | 3 |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 61 |
| Qg*(nC) | - | 3.8 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 27 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 27 | 当前型号 |
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPD640N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 18A 64mΩ 20V 47W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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