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RSD080N06TL  与  AUIRFZ24NSTRL  区别

型号 RSD080N06TL AUIRFZ24NSTRL
唯样编号 A33-RSD080N06TL-0 A-AUIRFZ24NSTRL
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 MOSFET N-Ch 55V 17A HEXFET Auto D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 15W(Tc) -
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 80 毫欧 @ 8A,10V 70mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 2 + Tab
最小栅阈值电压 - 2V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
汽车标准 - AEC-Q101
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A(Ta) 17A
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
正向二极管电压 - 1.3V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 380pF @ 10V 370pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 19 ns
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) - 45W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 - AUIRFZ24N
典型接通延迟时间 - 4.9 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V 20nC @ 10V
正向跨导 - 4.5S
库存与单价
库存 1,724 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.4969
50+ :  ¥4.5709
100+ :  ¥3.9288
300+ :  ¥3.4976
500+ :  ¥3.4114
1,000+ :  ¥3.3443
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD080N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥6.4969 

阶梯数 价格
30: ¥6.4969
50: ¥4.5709
100: ¥3.9288
300: ¥3.4976
500: ¥3.4114
1,000: ¥3.3443
1,724 当前型号
RD3L080SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 8A 80mΩ 20V 15W -55°C~150°C 车规

¥7.551 

阶梯数 价格
20: ¥7.551
50: ¥5.6249
100: ¥4.9733
300: ¥4.5517
500: ¥4.4654
1,000: ¥4.3984
1,184 对比
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暂无价格 0 对比
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-55°C~175°C(TJ) 17A 70mΩ 45W 车规

暂无价格 0 对比
RD3L080SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 8A 80mΩ 20V 15W -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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