RSD080N06TL 与 RD3L080SNFRATL 区别
| 型号 | RSD080N06TL | RD3L080SNFRATL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RSD080N06TL-0 | A-RD3L080SNFRATL | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | 15W(Tc) | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80 毫欧 @ 8A,10V | 80mΩ | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 15W | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 9.4 nC | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta) | 8A | ||||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 380pF @ 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.4nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,724 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RSD080N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥6.4969
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1,724 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RD3L080SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 60V 8A 80mΩ 20V 15W -55°C~150°C 车规 |
￥7.551
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1,184 | 对比 | ||||||||||||||
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NTD3055L104T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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NTD3055L104T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AUIRFZ24NSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 17A 70mΩ 45W 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3L080SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 60V 8A 80mΩ 20V 15W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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