RTQ020N05TR 与 DMN4060SVT-7 区别
| 型号 | RTQ020N05TR | DMN4060SVT-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RTQ020N05TR | A36-DMN4060SVT-7-1 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 45 V 46 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ@2A,4.5V | 46mΩ@4.3A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 45V | 45V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 600mW(Ta) | 1.2W(Ta) | ||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | TSOT-23 | ||
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) | 4.8A | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 10V | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1287pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22.4nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.3nC | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 133 | 1,325 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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RTQ020N05TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 45V 2A(Ta) ±12V 600mW(Ta) 190mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 133 | 当前型号 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
￥0.6145
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1,325 | 对比 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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