RTQ020N05TR 与 DMN4060SVT-7 区别
| 型号 | RTQ020N05TR | DMN4060SVT-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RTQ020N05TR | A36-DMN4060SVT-7-2 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 45 V 46 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ@2A,4.5V | 46mΩ@4.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 45V | 45V |
| Pd-功率耗散(Max) | 600mW(Ta) | 1.2W(Ta) |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | TSOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) | 4.8A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 10V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1287pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22.4nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.3nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 133 | 2 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RTQ020N05TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 45V 2A(Ta) ±12V 600mW(Ta) 190mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 133 | 当前型号 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
￥0.6145
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1,325 | 对比 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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