SH8KA2GZETB 与 IRF7313PBF 区别
| 型号 | SH8KA2GZETB | IRF7313PBF | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8KA2GZETB-1 | A-IRF7313PBF | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | 8-SO | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 6.5A | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ@8A,10V | 29mΩ@5.8A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W | 2W | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 1V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 330pF @ 15V | 650pF @ 25V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V | 33nC @ 10V | ||||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SH8KA2GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 8A 28mΩ@8A,10V 2.8W 150°C(TJ) 8-SOP |
￥6.6694
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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ZXMN3G32DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.5A |
￥3.355
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267 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7313PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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