SH8KA2GZETB 与 ZXMN3G32DN8TA 区别
| 型号 | SH8KA2GZETB | ZXMN3G32DN8TA | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SH8KA2GZETB-1 | A36-ZXMN3G32DN8TA | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ@8A,10V | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W | 1.8W | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 28mΩ@6A,10V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 472pF @ 15V | ||||||||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10.5nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | 8-SO | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 5.5A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 330pF @ 15V | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 267 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SH8KA2GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 8A 28mΩ@8A,10V 2.8W 150°C(TJ) 8-SOP |
￥6.6694
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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ZXMN3G32DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.5A |
￥3.355
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267 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7313PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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