AO6400 与 DMG6402LVT-7 区别
| 型号 | AO6400 | DMG6402LVT-7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO6400 | A3-DMG6402LVT-7 | ||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | 50 | - | ||||
| 上升时间 | - | 6.2ns | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | 33mΩ | - | ||||
| Rds On(Max)@2.5V | 52mΩ | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 11.4nC | ||||
| Qgd(nC) | 1.8 | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 1.5V | ||||
| Td(on)(ns) | 3 | - | ||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | TSOT-26 | ||||
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 6A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| Ciss(pF) | 630 | - | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 2.8ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 28mΩ@6.9A,10V | 30mΩ | ||||
| Trr(ns) | 8.5 | - | ||||
| Td(off)(ns) | 25 | - | ||||
| 功率耗散Pd | 2W | 1.75W | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Qrr(nC) | 2.6 | - | ||||
| VGS(th) | 1.45 | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 13.9ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 系列 | - | DMG6402 | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 498pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11.4nC @ 10V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.4ns | ||||
| Coss(pF) | 75 | - | ||||
| Qg*(nC) | 6 | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1,489 | 6,000 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO6400 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±12V 6.9A 2W 28mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C |
￥1.209
|
1,489 | 当前型号 | ||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥1.1
|
15,000 | 对比 | |||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥1.8495
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
|
2,275 | 对比 | ||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥1.8495
|
953 | 对比 |
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