AO6400 与 RTQ020N03TR 区别
| 型号 | AO6400 | RTQ020N03TR | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AO6400 | A33-RTQ020N03TR-2 | ||||||||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | 50 | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ@6.9A,10V | 125mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 33mΩ | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@2.5V | 52mΩ | - | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | 1.8 | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 12V | ||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 3 | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 2A(Ta) | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | 630 | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 135pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||||||||||||||
| Trr(ns) | 8.5 | - | ||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 25 | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.25W(Ta) | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | 2.6 | - | ||||||||||||||
| VGS(th) | 1.45 | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 3.3nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| Coss(pF) | 75 | - | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | 6 | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,499 | 3,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO6400 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±12V 6.9A 2W 28mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C |
￥1.023
|
1,499 | 当前型号 | ||||||||||||
|
RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥1.06
|
15,000 | 对比 | |||||||||||||
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥1.8495
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
|
2,275 | 对比 | ||||||||||||
|
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
￥0.6952
|
1,779 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥1.8495
|
976 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
