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AON7408  与  IRFHM8342TRPBF  区别

型号 AON7408 IRFHM8342TRPBF
唯样编号 A36-AON7408 A-IRFHM8342TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 16 mO 5 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 16mΩ@17A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 32mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 4.3 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
连续漏极电流Id 18A 10A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 373 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
Trr(ns) 10.5 -
Td(off)(ns) 15.8 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 11W 2.6W(Ta),20W(Tc)
Qrr(nC) 4.5 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 7.1 -
库存与单价
库存 771 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.133
100+ :  ¥0.8712
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8712
771 当前型号
DMN3024SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±25V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 7.5A(Ta)

¥1.32 

阶梯数 价格
40: ¥1.32
50: ¥1.0109
1,434 对比
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFHM8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7408L AOS 功率MOSFET

7.5A (Ta),20A (Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 9A,10V 8-DFN-EP(3x3) 1.7W (Ta),20W (Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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