AON7408 与 RQ3E100MNTB1 区别
| 型号 | AON7408 | RQ3E100MNTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-AON7408 | A-RQ3E100MNTB1 | ||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | 41 | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | 8.8mΩ | ||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||
| 上升时间 | - | 17ns | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 32mΩ | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 9.9nC | ||||||||
| Qgd(nC) | 1.6 | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | 2.5V | ||||||||
| Td(on)(ns) | 4.3 | - | ||||||||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 18A | 10A | ||||||||
| Ciss(pF) | 373 | - | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 下降时间 | - | 6ns | ||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||
| Trr(ns) | 10.5 | - | ||||||||
| Td(off)(ns) | 15.8 | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 11W | 2W | ||||||||
| Qrr(nC) | 4.5 | - | ||||||||
| VGS(th) | 2.6 | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 7ns | ||||||||
| Coss(pF) | 67 | - | ||||||||
| Qg*(nC) | 7.1 | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,546 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
¥1.144
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7,546 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±25V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 7.5A(Ta) |
¥0.9625
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2,000 | 对比 | ||||||||||
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IRFHM8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFHM8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |