BC857BDW1T1G 与 BC857BS,115 区别
| 型号 | BC857BDW1T1G | BC857BS,115 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BC857BDW1T1G-1 | A36-BC857BS,115 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 300mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | - | 100MHz | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -400mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363-6 | SOT-363 | ||||||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C | ||||||||||||
| VEBO | - | -5V | ||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -100mA | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 200 | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -45V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 6,000 | 106,577 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
¥0.1867
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6,000 | 当前型号 | ||||||||||
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BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
¥0.3926
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106,577 | 对比 | ||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 60,070 | 对比 | ||||||||||
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MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -600mA -750mV 100 200MHz 2PNP |
¥0.4508
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38,108 | 对比 | ||||||||||
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BC857BS-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
¥0.4186
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30,131 | 对比 | |||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
¥0.4879
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29,579 | 对比 |