DMN3016LSS-13 与 SI4410DYPBF 区别
| 型号 | DMN3016LSS-13 | SI4410DYPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3016LSS-13 | A-SI4410DYPBF | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 4mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14mΩ | ||
| 引脚数目 | - | 8 | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1415 pF @ 15 V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 25.1 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 10.3A(Ta) | 10A | ||
| 长度 | - | 5mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1585pF @ 15V | ||
| 高度 | - | 1.50mm | ||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||
| 典型关断延迟时间 | - | 38 ns | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| 晶体管材料 | - | Si | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W(Ta) | 2.5W | ||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@12A,10V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 系列 | - | HEXFET | ||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 11 ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 81 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 10.3A(Ta) |
￥1.441
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81 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
|
2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
|
2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4410DYPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 10A 14mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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