DMP1005UFDF-7 与 DMP1022UFDE-7 区别
| 型号 | DMP1005UFDF-7 | DMP1022UFDE-7 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP1005UFDF-7 | A36-DMP1022UFDE-7-1 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 12 V 160 mOhm 38 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@5A,4.5V | 16mΩ | ||||||||||
| 上升时间 | - | 28ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W(Ta) | 2.03W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 28.4nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | 350mV | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 117ns | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | 6-UDFN | UDFN | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 26A(Tc) | 9.1A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | DMP10 | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | - | SingleQuadDrain | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 800mV @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2953pF @ 4V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 42.6nC @ 5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 1.2V,4.5V | ||||||||||
| 下降时间 | - | 93ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2475pF @ 6V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 8V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 5,494 | 4,899 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMP1005UFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 12V 26A(Tc) ±8V 2.1W(Ta) 8.5mΩ@5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-UDFN |
￥1.0901
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5,494 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) UDFN 9.1A 2.03W 16mΩ 12V 350mV |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) UDFN 9.1A 2.03W 16mΩ 12V 350mV |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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