DMP3130L-7 与 RSR025P03TL 区别
| 型号 | DMP3130L-7 | RSR025P03TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3130L-7 | A-RSR025P03TL |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 77 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 1W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 77mΩ@4.2A,10V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 460pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.5A | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 432pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 98 毫欧 @ 2.5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 2.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 5.4nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
RSQ035P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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