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FDD3672  与  IRLR2908PBF  区别

型号 FDD3672 IRLR2908PBF
唯样编号 A36-FDD3672 A-IRLR2908PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 28 mOhm Surface Mount UltraFET Trench Mosfet TO-252AA N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@23A,10V
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 39A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,358 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.456
100+ :  ¥4.554
1,250+ :  ¥4.125
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD3672 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥5.456 

阶梯数 价格
10: ¥5.456
100: ¥4.554
1,250: ¥4.125
1,358 当前型号
STD40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
AOD464 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 105V ±25V 40A 100W 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
79 对比
AOD464 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 105V ±25V 40A 100W 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRLR2908PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak

暂无价格 0 对比
PSMN025-100D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 100V 47A

暂无价格 0 对比

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