FDD3672 与 PSMN025-100D,118 区别
| 型号 | FDD3672 | PSMN025-100D,118 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDD3672 | A-PSMN025-100D,118 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 28 mOhm Surface Mount UltraFET Trench Mosfet TO-252AA | MOSFET N-CH 100V 47A DPAK | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | SOT428 | ||||||
| 工作温度 | - | 175°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 47A | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||
| 输入电容 | - | 2600pF | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 150W | ||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 25mΩ@10V | ||||||
| 输出电容 | - | 340pF | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 3V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,358 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDD3672 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
¥5.456
|
1,358 | 当前型号 | ||||||||
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STD40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||
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AOD464 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 105V ±25V 40A 100W 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
¥3.036
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79 | 对比 | ||||||||
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AOD464 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 105V ±25V 40A 100W 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRLR2908PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
PSMN025-100D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 100V 47A |
暂无价格 | 0 | 对比 |