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FDS2582  与  SI4488DY-T1-GE3  区别

型号 FDS2582 SI4488DY-T1-GE3
唯样编号 A36-FDS2582 A-SI4488DY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 66 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.5W(Ta) 1.56W(Ta)
零件号别名 - SI4488DY-GE3
漏源极电压Vds 150V 150V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOIC-8
连续漏极电流Id 4.1A 3.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® SI
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2V @ 250µA(最小)
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1290pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
导通电阻Rds(On) 66m Ohms@4.1A,10V 50mΩ
库存与单价
库存 200 25
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥4.323
100+ :  ¥3.608
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS2582 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 66m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

¥4.323 

阶梯数 价格
20: ¥4.323
100: ¥3.608
200 当前型号
SI4488DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ

暂无价格 25 对比
SI4488DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ

暂无价格 0 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥25.8672 

阶梯数 价格
10: ¥25.8672
100: ¥15.2497
500: ¥13.7532
1,000: ¥12.3992
2,500: ¥10.3328
2,500 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A

¥18.2424 

阶梯数 价格
10: ¥18.2424
100: ¥10.7604
500: ¥9.6915
1,000: ¥8.7651
2,500: ¥7.2686
2,500 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A

¥11.2115 

阶梯数 价格
20: ¥11.2115
50: ¥8.0684
100: ¥7.4647
300: ¥7.0719
500: ¥6.9856
1,000: ¥6.9281
2,000: ¥6.8994
2,220 对比

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