NDT3055 与 DMN6068SE-13 区别
| 型号 | NDT3055 | DMN6068SE-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NDT3055 | A36-DMN6068SE-13 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 0.1 O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | 3W | - | ||||||||||||
| 宽度 | 3.7mm | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 m0hms | 68mΩ@12A,10V | ||||||||||||
| 引脚数目 | 3+Tab | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 6.7*3.7*1.7mm | SOT-223 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4 A | 5.6A | ||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 长度 | 6.7mm | - | ||||||||||||
| 最低工作温度 | -65 °C | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 最高工作温度 | +150 °C | - | ||||||||||||
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - | ||||||||||||
| 正向二极管电压 | 1.2V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 30V | - | ||||||||||||
| 高度 | 1.7mm | - | ||||||||||||
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 250 pF @ 30 V | 60V | ||||||||||||
| 晶体管材料 | Si | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta) | 2W(Ta) | ||||||||||||
| 晶体管配置 | 单 | - | ||||||||||||
| FET类型 | 增强 | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 30V | 502pF @ 30V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | 10.3nC @ 10V | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 正向跨导 | 6S | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,783 | 108 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V |
￥1.716
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2,783 | 当前型号 | |||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.496
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10,605 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
￥1.0989
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108 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSP318S H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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