NTJD4001NT1G 与 QS6K1TR 区别
| 型号 | NTJD4001NT1G | QS6K1TR | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTJD4001NT1G | A-QS6K1TR | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | TSMT | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.25W | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1A | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 77pF @ 10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.4nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 238mΩ@1A,4.5V | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 9,430 | 4,458 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
￥0.7854
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9,430 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-363 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥14.2129
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5,990 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥4.6927
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4,458 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥0.8591
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDG6301N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 220mA 4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N-Channel 25V 0.22A SC-88(SC-70-6) |
暂无价格 | 2,330 | 对比 |
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