NTJD4001NT1G 与 QS6K1TR 区别
| 型号 | NTJD4001NT1G | QS6K1TR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTJD4001NT1G | A36-QS6K1TR | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | TSMT | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1A | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 238mΩ@1A,4.5V | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 77pF @ 10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.4nC @ 4.5V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 11,989 | 6,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
￥0.9196
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11,989 | 当前型号 | ||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥0.8591
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥4.6927
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4,458 | 对比 | ||||||||||
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UM6K1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V |
￥0.5564
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4,447 | 对比 | ||||||||||
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FDG6301N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 220mA 4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N-Channel 25V 0.22A SC-88(SC-70-6) |
暂无价格 | 2,330 | 对比 | ||||||||||
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UM6K1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V |
暂无价格 | 2,040 | 对比 |
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