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SI1401EDH-T1-GE3  与  RAL035P01TCR  区别

型号 SI1401EDH-T1-GE3 RAL035P01TCR
唯样编号 A36-SI1401EDH-T1-GE3 A33-RAL035P01TCR-0
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 12 V 34 mOhm 36 nC Surface Mount Mosfet - SOT-363 (SC-70)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.6W(Ta),2.8W(Tc) 1W(Ta)
漏源极电压Vds 12V 12V
Vgs(th) 1V @ 250uA -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-363 6-SMD
连续漏极电流Id 4A(Tc) 3.5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±10V -
导通电阻Rds(On) 34 mOhms @ 5.5A,4.5V 42mΩ@3.5A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 6V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,220 719
工厂交货期 3 - 15天 28 - 35天
单价(含税)
30+ :  ¥2.328
100+ :  ¥1.86
750+ :  ¥1.668
1,500+ :  ¥1.572
80+ :  ¥2.0028
100+ :  ¥1.8207
300+ :  ¥1.4278
500+ :  ¥1.3416
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4A(Tc) P-Channel 34 mOhms @ 5.5A,4.5V 1.6W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 12V

¥2.328 

阶梯数 价格
30: ¥2.328
100: ¥1.86
750: ¥1.668
1,500: ¥1.572
2,220 当前型号
RAL035P01TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta)

暂无价格 3,195 对比
RAL035P01TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta)

¥2.0028 

阶梯数 价格
80: ¥2.0028
100: ¥1.8207
300: ¥1.4278
500: ¥1.3416
719 对比
RAL035P01TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta)

¥4.1099 

阶梯数 价格
1: ¥4.1099
100: ¥2.3755
1,500: ¥1.5061
3,000: ¥1.0889
100 对比
MTM761100LBF Panasonic  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
RAL035P01TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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