SI1401EDH-T1-GE3 与 MTM761100LBF 区别
| 型号 | SI1401EDH-T1-GE3 | MTM761100LBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI1401EDH-T1-GE3 | A3t-MTM761100LBF | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Panasonic | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single P-Channel 12 V 34 mOhm 36 nC Surface Mount Mosfet - SOT-363 (SC-70) | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | - | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.6W(Ta),2.8W(Tc) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 34 mOhms @ 5.5A,4.5V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,220 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI1401EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A(Tc) P-Channel 34 mOhms @ 5.5A,4.5V 1.6W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 12V |
¥2.328
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2,220 | 当前型号 | ||||||||||
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RAL035P01TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta) |
暂无价格 | 3,195 | 对比 | ||||||||||
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RAL035P01TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta) |
¥2.0028
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719 | 对比 | ||||||||||
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RAL035P01TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta) |
¥4.1099
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100 | 对比 | ||||||||||
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MTM761100LBF | Panasonic | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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RAL035P01TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |