SI4925DDY-T1-GE3 与 STS4DPF30L 区别
| 型号 | SI4925DDY-T1-GE3 | STS4DPF30L | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4925DDY-T1-GE3-1 | A36-STS4DPF30L | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 5W | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.3A | - | ||||||||||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 3V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 684 | 2,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
￥2.6372
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684 | 当前型号 | ||||||||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
￥8.853
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
45mΩ@6A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 6.9A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
45mΩ@6A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 6.9A |
￥1.703
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34 | 对比 | ||||||||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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