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SIR120DP-T1-RE3  与  RS6N120BHTB1  区别

型号 SIR120DP-T1-RE3 RS6N120BHTB1
唯样编号 A36-SIR120DP-T1-RE3 A33-RS6N120BHTB1-1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK SO-8 HSOP8
功率耗散Pd - 104W
连续漏极电流Id - ±135A
漏源极电压Vds - 80V
导通电阻Rds(On) - 3.3m Ohms
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 3,000 1,579
工厂交货期 3 - 15天 28 - 35天
单价(含税)
5+ :  ¥10.62
100+ :  ¥9.24
750+ :  ¥8.388
1,500+ :  ¥8.064
3,000+ :  ¥7.8
10+ :  ¥15.4085
50+ :  ¥10.6365
100+ :  ¥10.0424
300+ :  ¥9.6399
500+ :  ¥9.5633
1,000+ :  ¥9.5058
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR120DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel PowerPAK SO-8

¥10.62 

阶梯数 价格
5: ¥10.62
100: ¥9.24
750: ¥8.388
1,500: ¥8.064
3,000: ¥7.8
3,000 当前型号
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥13.7532 

阶梯数 价格
100: ¥13.7532
500: ¥12.7554
1,000: ¥11.7578
2,500: ¥9.8339
2,500 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥15.4085 

阶梯数 价格
10: ¥15.4085
50: ¥10.6365
100: ¥10.0424
300: ¥9.6399
500: ¥9.5633
1,000: ¥9.5058
1,579 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 0 对比

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