SIR606BDP-T1-RE3 与 RS6P060BHTB1 区别
| 型号 | SIR606BDP-T1-RE3 | RS6P060BHTB1 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SIR606BDP-T1-RE3 | A-RS6P060BHTB1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.9A(Ta),38.7A(Tc) | 60A | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.4 mOhms @ 10A,10V | 10.6mΩ@60A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta),62.5W(Tc) | 73W | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 95 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.9A(Ta),38.7A(Tc) N-Channel 17.4 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
¥7.04
|
3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
¥13.6358
|
2,469 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
¥26.4283
|
1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
¥19.6519
|
97 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
¥13.2013
|
95 | 对比 |