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SIR606BDP-T1-RE3  与  RS6P060BHTB1  区别

型号 SIR606BDP-T1-RE3 RS6P060BHTB1
唯样编号 A36-SIR606BDP-T1-RE3 A-RS6P060BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 10.9A(Ta),38.7A(Tc) 60A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.4 mOhms @ 10A,10V 10.6mΩ@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 5W(Ta),62.5W(Tc) 73W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 3,000 95
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
8+ :  ¥7.04
100+ :  ¥5.863
750+ :  ¥5.434
1,500+ :  ¥5.17
3,000+ :  ¥4.972
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR606BDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.9A(Ta),38.7A(Tc) N-Channel 17.4 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V

¥7.04 

阶梯数 价格
8: ¥7.04
100: ¥5.863
750: ¥5.434
1,500: ¥5.17
3,000: ¥4.972
3,000 当前型号
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

¥13.6358 

阶梯数 价格
20: ¥13.6358
50: ¥8.4805
100: ¥7.8385
300: ¥7.4168
500: ¥7.3306
1,000: ¥7.2635
2,000: ¥7.2252
2,469 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥26.4283 

阶梯数 价格
6: ¥26.4283
10: ¥17.0951
30: ¥12.8021
50: ¥11.9493
100: ¥11.2977
300: ¥10.8761
500: ¥10.7898
1,000: ¥10.7228
1,960 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 对比

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