STB6N60M2 与 R6004ENJTL 区别
| 型号 | STB6N60M2 | R6004ENJTL | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STB6N60M2 | A32-R6004ENJTL-2 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 58W | ||||||||||
| 上升时间 | - | 22ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 15nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 55ns | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 系列 | - | SuperJunction-MOSEN | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 下降时间 | - | 40ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 22ns | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 900mΩ@1.5A,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 898 | 998 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
￥4.692
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898 | 当前型号 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥8.0972
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥15.606
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998 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥4.6475
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40 | 对比 |
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