STB6N60M2 与 R6004KNJTL 区别
| 型号 | STB6N60M2 | R6004KNJTL | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STB6N60M2 | A33-R6004KNJTL | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 58W(Tc) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 280pF @ 25V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 980mΩ@1.5A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.2nC @ 10V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 898 | 40 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
￥4.692
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898 | 当前型号 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥8.0972
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥15.606
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998 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥4.6475
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40 | 对比 |
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