STN3NF06L 与 IRLL014NTRPBF 区别
| 型号 | STN3NF06L | IRLL014NTRPBF | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STN3NF06L | A-IRLL014NTRPBF | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@1.5A,10V | 140mΩ@2A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.3W(Tc) | 1W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 2.8A | ||||||||||
| 系列 | STripFET™ II | HEXFET® | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | 2V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 340pF @ 25V | 230pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 5V | 14nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | 4V,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 230pF @ 25V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 10,605 | 2,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.496
|
10,605 | 当前型号 | ||||||||||||
|
ZXMS6006DGTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
￥4.587
|
4,597 | 对比 | ||||||||||||
|
|
NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V |
￥1.716
|
2,783 | 对比 | |||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
|
|
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 3.8A(Ta) |
￥2.332
|
2,000 | 对比 | ||||||||||||
|
ZXMN6A09GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A |
￥4.18
|
1,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
