STP20N65M5 与 FCP165N60E 区别
| 型号 | STP20N65M5 | FCP165N60E | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STP20N65M5 | A36-FCP165N60E | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 通孔 N 通道 650 V 18A（Tc） 130W（Tc） TO-220 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 227W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 23A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2434pF @ 380V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 165 毫欧 @ 11.5A,10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 75nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 956 | 800 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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STP20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥10.308
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956 | 当前型号 | ||||||
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FCP165N60E | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
￥6.48
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800 | 对比 | |||||||
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IPP65R190CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPP65R150CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHP22N65E | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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