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STP24N60DM2  与  FCP165N60E  区别

型号 STP24N60DM2 FCP165N60E
唯样编号 A36-STP24N60DM2 A36-FCP165N60E
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150W(Tc) -
功率 - 227W(Tc)
漏源极电压Vds 600V 600V
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 23A(Tc)
系列 FDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
导通电阻Rds(On) 200mΩ@9A,10V 165 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2434pF @ 380V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
库存与单价
库存 324 800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
8+ :  ¥6.288
100+ :  ¥5.028
8+ :  ¥6.48
50+ :  ¥5.988
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

¥6.288 

阶梯数 价格
8: ¥6.288
100: ¥5.028
324 当前型号
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

¥6.48 

阶梯数 价格
8: ¥6.48
50: ¥5.988
800 对比
AOT20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

暂无价格 0 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

600V 20.2A 190mΩ 10V 151W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3

暂无价格 0 对比

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