STP24N60M2 与 AOT20S60L 区别
| 型号 | STP24N60M2 | AOT20S60L | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP24N60M2 | A-AOT20S60L | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 18A TO220 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 2.1 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 199mΩ@10V | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 266W | ||
| Qrr(nC) | - | 5.7 | ||
| VGS(th) | - | 4.1 | ||
| Qgd(nC) | - | 7.6 | ||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220 | ||
| 连续漏极电流Id | - | 20A | ||
| Ciss(pF) | - | 1038 | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 350 | ||
| Coss(pF) | - | 68 | ||
| Qg*(nC) | - | 19.8 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 50 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
￥6.336
|
50 | 当前型号 | ||||
|
AOT20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SPP20N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IPP60R190P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 20.2A 190mΩ 10V 151W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IPA60R190P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 20.2A 190Ω 20V 34W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
IPP65R190C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 13A 168mΩ 20V 72W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
