PMPB55XNEAX 与 RF4E060AJTCR 区别
| 型号 | PMPB55XNEAX | RF4E060AJTCR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-PMPB55XNEAX | A33-RF4E060AJTCR-1 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 0.55W | 2W(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 37mOhms@6A,4.5V | ||||||||||
| 输出电容 | 31pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 12V,1V | 1.5V@1mA | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||||
| 工作温度 | 175°C | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.8A | 6A(Ta) | ||||||||||
| 输入电容 | 255pF | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±12V | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 4nC@4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 110mΩ@2.5V,72mΩ@4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,950 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB55XNEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1220 N-Channel 110mΩ@2.5V,72mΩ@4.5V 0.55W 175°C 12V,1V 30V 3.8A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SQA470CEJW-T1_GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E060AJTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V |
￥3.5631
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E060AJTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V |
￥2.4436
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2,950 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E060AJTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E060AJTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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