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PMPB55XNEAX  与  SQA470CEJW-T1_GE3  区别

型号 PMPB55XNEAX SQA470CEJW-T1_GE3
唯样编号 A3t-PMPB55XNEAX A3t-SQA470CEJW-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 未分类
描述 MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT1220 -
功率耗散Pd 0.55W -
工作温度 175°C -
连续漏极电流Id 3.8A -
漏源极电压Vds 30V -
输入电容 255pF -
产品特性 车规 -
导通电阻Rds(On) 110mΩ@2.5V,72mΩ@4.5V -
输出电容 31pF -
栅极电压Vgs 12V,1V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB55XNEAX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT1220 N-Channel 110mΩ@2.5V,72mΩ@4.5V 0.55W 175°C 12V,1V 30V 3.8A 车规

暂无价格 0 当前型号
SQA470CEJW-T1_GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 对比
RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V

¥3.5631 

阶梯数 价格
10: ¥3.5631
100: ¥2.0666
500: ¥1.8528
1,000: ¥1.7103
3,000: ¥1.4251
3,000 对比
RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V

¥2.4436 

阶梯数 价格
70: ¥2.4436
100: ¥2.0986
300: ¥1.6961
500: ¥1.6195
1,000: ¥1.5524
2,950 对比
RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V

暂无价格 90 对比
RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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