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SI1330EDL-T1-GE3  与  2N7002PW,115  区别

型号 SI1330EDL-T1-GE3 2N7002PW,115
唯样编号 A3t-SI1330EDL-T1-GE3 A-2N7002PW,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5Ω@250mA,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 0.28W 0.26W
输出电容 - 7pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 240mA(Ta) 0.31A
输入电容 - 30pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 1.6Ω@500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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±20V 0.28W 2.5Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 N-Channel 60V 240mA(Ta)

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