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SI1330EDL-T1-GE3  与  BSS138W  区别

型号 SI1330EDL-T1-GE3 BSS138W
唯样编号 A3t-SI1330EDL-T1-GE3 A3t-BSS138W-1
制造商 Vishay Panjit
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SC-70,SOT-323 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 240mA(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5Ω@250mA,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 0.28W -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 0.28W 2.5Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 N-Channel 60V 240mA(Ta)

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BSS138W ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

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