SI3473CDV-T1-GE3 与 RZQ050P01TR 区别
| 型号 | SI3473CDV-T1-GE3 | RZQ050P01TR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI3473CDV-T1-GE3 | A33-RZQ050P01TR | ||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | - | 600mW(Ta) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22 mOhms @ 8.1A,4.5V | 26 毫欧 @ 5A,4.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),4.2W(Tc) | - | ||||||||||||
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A(Tc) | 5A(Ta) | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±8V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2850pF @ 6V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,202 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) P-Channel 22 mOhms @ 8.1A,4.5V 2W(Ta),4.2W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RZQ050P01TR | ROHM Semiconductor | 未分类 |
￥5.692
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1,202 | 对比 | ||||||||||||||||
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RZQ050P01TR | ROHM Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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