SI3473CDV-T1-GE3 与 RZQ050P01TR 区别
| 型号 | SI3473CDV-T1-GE3 | RZQ050P01TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3473CDV-T1-GE3 | A3t-RZQ050P01TR |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 600mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22 mOhms @ 8.1A,4.5V | 26 毫欧 @ 5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),4.2W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 连续漏极电流Id | 8A(Tc) | 5A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±8V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2850pF @ 6V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) P-Channel 22 mOhms @ 8.1A,4.5V 2W(Ta),4.2W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
RZQ050P01TR | ROHM Semiconductor | 未分类 |
￥5.692
|
1,202 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RZQ050P01TR | ROHM Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
