SI3493BDV-T1-GE3 与 FDC602PNL 区别
| 型号 | SI3493BDV-T1-GE3 | FDC602PNL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3493BDV-T1-GE3 | A3t-FDC602PNL |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | SI3493BDV Series 20 V 0.0275 O Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | - |
| 连续漏极电流Id | 8A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27.5 mOhms @ 7A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.08W(Ta),2.97W(Tc) | - |
| Vgs(最大值) | ±8V | - |
| Vgs(th) | 900mV @ 250uA | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3493BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) P-Channel 27.5 mOhms @ 7A,4.5V 2.08W(Ta),2.97W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FDC608PZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.6W(Ta) 30m Ohms@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 5.8A P-Channel 20V 5.8A(Ta) ±12V 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
FDC602PNL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRLTS2242TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 32mΩ@6.9A,4.5V P-Channel 20V 6.9A 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLMS6802TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 50mΩ@5.1A,4.5V P-Channel 20V 5.6A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
