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SI3493BDV-T1-GE3  与  FDC608PZ  区别

型号 SI3493BDV-T1-GE3 FDC608PZ
唯样编号 A3t-SI3493BDV-T1-GE3 A3t-FDC608PZ
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 SI3493BDV Series 20 V 0.0275 O Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 P-Channel 20 V 30 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 27.5 mOhms @ 7A,4.5V 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.08W(Ta),2.97W(Tc) 1.6W(Ta)
Vgs(th) 900mV @ 250uA -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOT-23-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
连续漏极电流Id 8A(Tc) 5.8A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1330pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1330pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8A(Tc) P-Channel 27.5 mOhms @ 7A,4.5V 2.08W(Ta),2.97W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
FDC608PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

1.6W(Ta) 30m Ohms@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 5.8A P-Channel 20V 5.8A(Ta) ±12V 30 毫欧 @ 5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比
FDC602PNL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRLTS2242TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 32mΩ@6.9A,4.5V P-Channel 20V 6.9A 6-TSOP

暂无价格 0 对比
IRLMS6802TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 50mΩ@5.1A,4.5V P-Channel 20V 5.6A Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比

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