SI3932DV-T1-GE3 与 PMGD175XNEX 区别
| 型号 | SI3932DV-T1-GE3 | PMGD175XNEX | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3932DV-T1-GE3 | A-PMGD175XNEX | ||
| 制造商 | Vishay | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 1.4W | 0.26W | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| 输出电容 | - | 13pF | ||
| 栅极电压Vgs | - | 1V,12V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SOT363 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 3.7A | 0.95A | ||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | - | ||
| 输入电容 | - | 81pF | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 47mΩ | 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
￥0.6768
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29,895 | 对比 | ||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥6.7697
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5,990 | 对比 | ||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥4.6927
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4,458 | 对比 | ||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||
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PMGD175XNEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V 0.26W 150°C 1V,12V 30V 0.95A |
￥1.2348
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0 | 对比 |
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