SI3932DV-T1-GE3 与 PMGD175XNEX 区别
| 型号 | SI3932DV-T1-GE3 | PMGD175XNEX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3932DV-T1-GE3 | A-PMGD175XNEX |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | 0.26W |
| 输出电容 | - | 13pF |
| 栅极电压Vgs | - | 1V,12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SOT363 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.7A | 0.95A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | - |
| 输入电容 | - | 81pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 15,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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PMGD175XNEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.26W 150°C 1V,12V 30V 0.95A |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥2.894
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9,703 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
￥0.9196
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8,110 | 对比 | ||||||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥7.0907
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5,990 | 对比 | ||||||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥7.0907
|
5,990 | 对比 |
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