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SI4590DY-T1-GE3  与  SH8M41TB1  区别

型号 SI4590DY-T1-GE3 SH8M41TB1
唯样编号 A3t-SI4590DY-T1-GE3 A33-SH8M41TB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Si4590DY Series 100 V 5.6 A 0.057 Ohm SMT N & P-Channel MOSFET - SO-8 MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 57 mOhms @ 2A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
功率-最大值 - 2W
Pd-功率耗散(Max) 2.4W,3.4W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 600pF @ 10V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOP
连续漏极电流Id 3.4A,2.8A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 130 毫欧 @ 3.4A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.4A,2.6A
漏源电压(Vdss) - 80V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 0 1,710
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥7.9918
50+ :  ¥6.0561
100+ :  ¥5.4141
300+ :  ¥4.9829
500+ :  ¥4.8967
1,000+ :  ¥4.8392
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4590DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.4A,2.8A N+P-Channel 57 mOhms @ 2A,10V 2.4W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
SH8M41TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP

¥7.9918 

阶梯数 价格
20: ¥7.9918
50: ¥6.0561
100: ¥5.4141
300: ¥4.9829
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.8392
1,710 对比
SP8M51TB1 ROHM Semiconductor 通用MOSFET

N+P-Channel 100V 3A,2.5A 2W 150°C(TJ) 8-SOP

暂无价格 0 对比
SH8M41TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP

暂无价格 0 对比
SH8M41TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP

暂无价格 0 对比

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