SI4590DY-T1-GE3 与 SH8M41TB1 区别
| 型号 | SI4590DY-T1-GE3 | SH8M41TB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4590DY-T1-GE3 | A3t-SH8M41TB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Si4590DY Series 100 V 5.6 A 0.057 Ohm SMT N & P-Channel MOSFET - SO-8 | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57 mOhms @ 2A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| 功率-最大值 | - | 2W |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W,3.4W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 600pF @ 10V |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOP |
| 连续漏极电流Id | 3.4A,2.8A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| FET功能 | - | 逻辑电平门 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 130 毫欧 @ 3.4A,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 3.4A,2.6A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 80V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 9.2nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI4590DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.4A,2.8A N+P-Channel 57 mOhms @ 2A,10V 2.4W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SH8M41TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP |
￥7.9918
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1,710 | 对比 | ||||||||||||||
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SP8M51TB1 | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
N+P-Channel 100V 3A,2.5A 2W 150°C(TJ) 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
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SH8M41TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8M41TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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