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SIHFL014-GE3  与  STN3NF06L  区别

型号 SIHFL014-GE3 STN3NF06L
唯样编号 A3t-SIHFL014-GE3 A36-STN3NF06L
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
库存与单价
库存 0 9,590
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.419
100+ :  ¥1.0934
1,000+ :  ¥0.9108
2,000+ :  ¥0.8294
4,000+ :  ¥0.7678
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFL014-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0934
1,000: ¥0.9108
2,000: ¥0.8294
4,000: ¥0.7678
9,590 对比
NDT3055L ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.574
1,000: ¥2.299
2,000: ¥2.178
4,000: ¥2.068
8,633 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 对比

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