SIS488DN-T1-GE3 与 BSZ034N04LS 区别
| 型号 | SIS488DN-T1-GE3 | BSZ034N04LS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIS488DN-T1-GE3 | A-BSZ034N04LS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | SiS488DN Series 40 V 40 A 5.5 mOhm N-Channel Mosfet - PowerPAK® 1212-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 52W |
| 上升时间 | - | 4ns |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Qg-栅极电荷 | - | 35nC |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 46S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | PG-TSDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 40A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS5 |
| 长度 | - | 3.3mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 下降时间 | - | 3ns |
| 导通电阻Rds(On) | 5.5 mOhms @ 20A,10V | 2.7mΩ |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIS488DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSZ034N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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MCR10ERTFL1R00 | ROHM Semiconductor | 贴片电阻 |
1 Ohms ±1% 1/8W 0805 0805 0805 厚膜 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥14.7507
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥11.7783
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100 | 对比 |
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