SIS488DN-T1-GE3 与 RH6G040BGTB1 区别
| 型号 | SIS488DN-T1-GE3 | RH6G040BGTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIS488DN-T1-GE3 | A32-RH6G040BGTB1-18 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | SiS488DN Series 40 V 40 A 5.5 mOhm N-Channel Mosfet - PowerPAK® 1212-8 | Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | HSMT8 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 59W | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 95A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5.5 mOhms @ 20A,10V | 3.6mΩ@40A,10V | ||||||||
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 100 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIS488DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSZ034N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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MCR10ERTFL1R00 | ROHM Semiconductor | 贴片电阻 |
1 Ohms ±1% 1/8W 0805 0805 0805 厚膜 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥14.7507
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥11.7783
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100 | 对比 |
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